[发明专利]制备石墨碳薄片的方法在审
申请号: | 201580083131.3 | 申请日: | 2015-09-29 |
公开(公告)号: | CN108028178A | 公开(公告)日: | 2018-05-11 |
发明(设计)人: | 王德岩;王秀艳;冯少光;李巧伟;庞青青;P·特雷弗纳斯三世;陈红宇 | 申请(专利权)人: | 罗门哈斯电子材料有限责任公司;陶氏环球技术有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/033 | 分类号: | H01L21/033 |
代理公司: | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人: | 徐舒 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供一种制备石墨碳薄片的方法,包含提供衬底;提供涂料组合物,所述涂料组合物包含:液体载体和具有式(I)的MX/石墨碳前体材料;将所述涂料组合物置于所述衬底上以形成复合材料;任选地,烘烤所述复合材料;在成形气体气氛下对所述复合材料进行退火;由此将所述复合材料转化为设置在提供多层结构的所述衬底上的MX层和石墨碳层;其中在所述多层结构中,所述MX层插入于所述衬底与所述石墨碳层之间;将所述多层结构暴露于酸;并且回收所述石墨碳层作为所述独立式石墨碳薄片。 | ||
搜索关键词: | 制备 石墨 薄片 方法 | ||
【主权项】:
1.一种制备独立式石墨碳薄片的方法,包含:提供衬底;提供涂料组合物,所述涂料组合物包含:液体载体和具有式(I)的MX/石墨碳前体材料, 其中M选自Hf和Zr组成的组;其中每个X是独立地选自N、S、Se以及O的原子;其中R1 选自-C2-6 亚烷基-X-基团和-C2-6 次烷基-X-基团组成的组;其中z是0至5;其中n是1至15;其中每个R2 基团独立地选自氢、-C1-20 烷基、-C(O)-C2-30 烷基、-C(O)-C6-10 烷芳基、-C(O)-C6-10 芳基烷基、-C(O)-C6 芳基以及-C(O)-C10-60 多环芳香族基团组成的组;其中所述MX/石墨碳前体材料中的至少10摩尔%的所述R2 基团是-C(O)-C10-60 多环芳香族基团;将所述涂料组合物置于所述衬底上以形成复合材料;任选地,烘烤所述复合材料;在成形气体气氛下对所述复合材料进行退火,由此将所述复合材料转化为设置在提供多层结构的所述衬底上的MX层和石墨碳层;其中在所述多层结构中,所述MX层插入于所述衬底与所述石墨碳层之间;将所述多层结构暴露于酸;以及,回收所述石墨碳层作为所述独立式石墨碳薄片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造