[发明专利]一种局部背接触太阳能电池的制备方法在审
| 申请号： | 201580083085.7 | 申请日： | 2015-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN108292691A | 公开（公告）日： | 2018-07-17 |
| 发明（设计）人： | 邹帅;龙维绪;王栩生;邢国强 | 申请（专利权）人： | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0236;H01L31/068 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 蒋黎丽;杨生平 |
| 地址： | 215129 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种局部背接触太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：去除硅片表面损伤层并进行双面抛光、制绒、形成PN结、刻蚀和去杂质玻璃、背面沉积钝化膜、正面沉积钝化减反射层、背面局部开口、丝网印刷正背面金属浆料、烧结；其中，制绒步骤采用金属催化腐蚀法，其绒面结构为纳米级绒面结构。将去除硅片表面损伤层和双面抛光结合成一步工序来实现，简化了工艺流程，降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 背接触太阳能电池 硅片表面损伤层 双面抛光 制绒 去除 制备 背面 金属催化腐蚀 纳米级绒面 减反射层 金属浆料 局部开口 绒面结构 丝网印刷 一步工序 杂质玻璃 正面沉积 烧结 工艺流程 钝化膜 正背面 钝化 刻蚀 沉积 | ||
【主权项】：
PCT国内申请，权利要求书已公开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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