[发明专利]用于显露集成电路器件的背侧和相关配置的技术有效
| 申请号： | 201580082611.8 | 申请日： | 2015-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN107924831B | 公开（公告）日： | 2023-10-10 |
| 发明（设计）人： | I-S·孙;C·T·卡弗;P·B·菲舍尔;P·莫罗;K·俊 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的实施例描述用于显露集成电路(IC)器件的背侧和相关配置的技术。IC器件可以包括在半导体衬底(例如硅衬底)上形成的多个鳍状物，且隔离氧化物可以沿着IC器件的背侧设置在鳍状物之间。半导体衬底的一部分可以被去除以留下剩余部分。可以通过机械研磨去除半导体衬底的第一部分。可以通过湿法蚀刻去除半导体衬底的第二部分以留下剩余部分。可以通过使用选择性浆料的化学机械平坦化(CMP)来去除半导体衬底的剩余部分以显露IC器件的背侧。可以描述和/或主张其它实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 显露 集成电路 器件 相关 配置 技术 | ||
【主权项】：
一种用于显露集成电路器件的背侧的方法，所述方法包括：去除半导体衬底的耦合到集成电路(IC)器件的背侧的一部分以留下所述半导体衬底的耦合到所述IC器件的所述背侧的剩余部分；以及通过使用选择性浆料的化学机械平坦化(CMP)来去除所述半导体衬底的所述剩余部分以暴露所述IC器件的所述背侧。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
