[发明专利]半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201580081652.5 | 申请日： | 2015-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN107924869B | 公开（公告）日： | 2022-01-25 |
| 发明（设计）人： | 斋藤元章;安达隆郎 | 申请（专利权）人： | 超极存储器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L27/04 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 袁波;刘继富 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体元件(10)，其具有：元件第1主面(11)、元件第2主面(12)、以及元件侧面(13)，所述元件第2主面(12)是与元件第1主面(11)相反的面，所述半导体元件(10)由半导体基板部(20)和绝缘层部(30)构成，所述半导体元件(10)具有：信号收发端子(14)，其设置在所述元件第1主面(11)，其在与设置在外部基板(200)的外部基板信号收发端子(210)之间能够接触地收发信号，所述外部基板(200)位于所述半导体元件(10)的外部；以及信号收发线圈(15)，其设置在所述元件侧面(13)，其在与设置在外部半导体元件(100)的外部半导体元件信号收发部(120)之间经由所述元件侧面(13)能够非接触地收发信号，所述外部半导体元件(100)位于所述半导体元件(10)的外部，信号收发线圈(15)具有在绝缘层部的内部形成的导体和在半导体基板部(20)的内部形成的导体。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，其具有元件第1主面、元件第2主面、以及元件侧面，所述元件第2主面是与所述元件第1主面相反的面，所述半导体元件由半导体基板部和绝缘层部构成，所述半导体元件包含：信号收发端子，其设置在所述元件第1主面，在与设置在外部基板的外部基板信号收发端子之间能够接触地收发信号，所述外部基板位于所述半导体元件的外部；以及信号收发线圈，其设置在所述元件侧面，在与设置在外部半导体元件的外部半导体元件信号收发部之间能够经由所述元件侧面非接触地收发信号，所述外部半导体元件位于所述半导体元件的外部，所述信号收发线圈具有在所述绝缘层部的内部形成的导体和在所述半导体基板部的内部形成的导体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
