[发明专利]具有减小的开关电流的垂直磁性存储器有效
| 申请号： | 201580080340.2 | 申请日： | 2015-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN107667438B | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | K·奥乌兹;K·P·奥布莱恩;B·S·多伊尔;D·L·肯克;C·C·郭;R·S·周 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施例包括一种装置，所述装置包括：衬底；以及包括固定层以及第一和第二自由层的垂直磁性隧道结(pMTJ)；其中(a)第一自由层包括钴(Co)、铁(Fe)和硼(B)，并且(b)第二自由层是外延的并且包括锰(Mn)和镓(Ga)。本文描述了其它实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 减小 开关 电流 垂直 磁性 存储器 | ||
【主权项】：
一种装置，包括：衬底；磁性隧道结(MTJ)，其包括固定层以及位于所述固定层与所述衬底之间的第一自由层和第二自由层；晶种层，其直接接触所述第二自由层；以及阻挡层，其位于所述第一自由层与所述第二自由层之间；其中，(a)所述第一自由层是非外延的，并且包括钴(Co)、铁(Fe)和硼(B)，并且(b)所述第二自由层是外延的并且包括锰(Mn)和镓(Ga)。
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