[发明专利]半导体器件

摘要

将在向背面电极施加额定电压V[V]时从阱区域向半导体层的外周方向扩展的耗尽层的前端的、半导体层的表面处的位置设为x，将位置x和表面电极的外周端的外周方向的距离设为W1，将位置x和场绝缘膜的外周端的外周方向的距离设为W2，将场绝缘膜的膜厚设为t[μm]，以使位置x处的场绝缘膜中的电场W2V/t(W1+W2)成为3MV/cm以下的方式规定终端部的布局。

主权项

一种半导体器件，其特征在于，具备：半导体基板；第1导电类型的半导体层，形成于所述半导体基板上；场绝缘膜，形成于所述半导体层的表面上；表面电极，以比所述场绝缘膜靠内周侧并延伸到所述场绝缘膜上的方式形成于所述半导体层的表面上；第2导电类型的阱区域，与所述表面电极连接而形成于所述半导体层的表层部，比所述表面电极的外周端更向外周侧延伸；表面保护膜，以覆盖所述表面电极的外周端及所述场绝缘膜的外周端的方式形成于所述表面电极及所述场绝缘膜上，所述表面保护膜由绝缘材料构成；密封凝胶，形成于所述半导体层及所述表面保护膜上的所述半导体层的外周部；以及背面电极，形成于所述半导体基板的背面，将在向所述背面电极施加额定电压V[V]时从所述阱区域向所述半导体层的外周方向扩展的耗尽层的前端的位置设为x，将位置x和所述表面电极的外周端的外周方向的距离设为W1，将位置x和所述场绝缘膜的外周端的外周方向的距离设为W2，所述场绝缘膜的膜厚t[μm]是t≥W2V/300(W1+W2)。