[发明专利]X射线发生装置有效
申请号: | 201580075523.5 | 申请日: | 2015-02-05 |
公开(公告)号: | CN107210079B | 公开(公告)日: | 2020-03-20 |
发明(设计)人: | 宫冈明宽 | 申请(专利权)人: | 株式会社岛津制作所 |
主分类号: | G21K5/02 | 分类号: | G21K5/02;G21K5/00;G21K5/08 |
代理公司: | 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 | 代理人: | 肖华 |
地址: | 日本国京都府京*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供了能够不根据针对靶材的电子束的焦点直径而可靠地减小X射线焦点直径的X射线发生装置。在由靶材(2)和X射线照射窗(1)构成的靶材层叠结构体(3)的电子束(B)的照射区域内,设置有朝向电子束(B)的照射方向的X射线吸收率局部地低的X射线低吸收率部位(3a),由此抑制通过将电子束(B)照射到靶材(2)上而产生的X射线中的、来自X射线低吸收率部位(3a)以外的部位的X射线向外部辐射,并与电子束(B)的照射区域的大小无关地获得与X射线低吸收率部位(3a)的大小相应的大小的X射线焦点。 | ||
搜索关键词: | 射线 发生 装置 | ||
【主权项】:
一种X射线发生装置,其将通过对在真空容器内配置的靶材照射电子束而产生的X射线经由一体地层叠形成有所述靶材的X射线照射窗沿着电子束的照射方向取出至外部,所述X射线发生装置的特征在于,在由所述靶材与所述X射线照射窗构成的靶材层叠结构体的所述电子束的照射区域内,形成有朝向该电子束的照射方向的X射线吸收率局部地低的X射线低吸收率部位。
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