[发明专利]衬底处理装置及衬底处理方法在审
| 申请号: | 201580075242.X | 申请日: | 2015-12-22 |
| 公开(公告)号: | CN107210200A | 公开(公告)日: | 2017-09-26 |
| 发明(设计)人: | 藤仓序章;今野泰一郎;沼田隆之;根本秀圣 | 申请(专利权)人: | 住友化学株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;C23C16/458;C23C16/46;H01L21/31;H01L21/677 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人: | 杨宏军 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明具有在形成于容器内部的升温部或降温部中的至少任一者处设置的衬底载置台和对衬底载置台的温度加以控制的温度控制部,所述衬底载置台与载置于载置面上的衬底之间进行热传递,所述温度控制部进行控制以使得在升温部设置有衬底载置台的情况下,在衬底被载置于衬底载置台之前,使衬底载置台的温度成为能够使将要搬入处理部的衬底升温至规定温度的温度;在降温部设置有衬底载置台的情况下,在衬底被载置于衬底载置台之前,使衬底载置台的温度成为能够使从处理部搬出的经过处理的衬底降温至规定温度的温度。 | ||
| 搜索关键词: | 衬底 处理 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种衬底处理装置,具有:容器,所述容器在内部形成有对衬底进行处理的处理部、使搬入所述处理部内的所述衬底升温的升温部、及使从所述处理部内搬出的经过处理的所述衬底降温的降温部;设置于所述升温部或所述降温部中的至少任一者处的衬底载置台,其与载置于载置面上的所述衬底之间进行热传递;和温度控制部,其对所述衬底载置台的温度加以控制,所述温度控制部进行控制以使得:在所述升温部设置有所述衬底载置台的情况下,在所述衬底被载置于所述衬底载置台之前,使所述衬底载置台的温度成为能够使将要搬入所述处理部的所述衬底升温至规定温度的温度,在所述降温部设置有所述衬底载置台的情况下,在所述衬底被载置于所述衬底载置台之前,使所述衬底载置台的温度成为能够使从所述处理部搬出的经过处理的所述衬底降温至规定温度的温度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友化学株式会社,未经住友化学株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201580075242.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用户行为数据清理方法及装置
- 下一篇:面向服务架构下的服务负载均衡方法及系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





