[发明专利]用于制造薄膜太阳能电池装置的方法及薄膜太阳能电池装置

摘要

基底(5)上的薄膜太阳能电池阵列的太阳能电池装置；每个太阳能电池均通过底电极(6)、光伏活性层(7)、顶电极(8)和绝缘层(9)进行分层堆积。第一沟槽(10A)和在第一侧与第一沟槽平行的第二沟槽(11A)分离第一太阳能电池和相邻的第二太阳能电池。使用绝缘材料填充第一沟槽和第二沟槽。第一沟槽延伸至基底。第二沟槽延伸至顶电极下面的光伏活性层中。延伸至底电极的第三沟槽位于第一沟槽与第二沟槽之间。延伸至顶电极的第四沟槽位于第一沟槽的第二侧处。使用导电材料填充第三沟槽和第四沟槽。导电桥接件(16)横跨第一沟槽连接第三沟槽和第四沟槽。

主权项

1.用于制造具有薄膜太阳能电池阵列的薄膜太阳能电池装置的方法，所述方法包括：设置基底；在所述基底的表面上生成层堆，所述层堆包括底电极层、光伏活性层和顶电极层，其中，所述底电极层布置在所述基底的表面上，所述光伏活性层布置在所述底电极层上，所述顶电极层布置在所述光伏活性层上，以及生成布置在所述顶电极层上的绝缘层；在所述绝缘层和所述层堆中生成延伸至所述基底的所述表面的第一沟槽；在所述第一沟槽的第一侧处，在所述绝缘层和所述层堆中生成第二沟槽，所述第二沟槽延伸至所述顶电极层下面的所述光伏活性层中；所述第二沟槽与所述第一沟槽在第一方向上以第一距离间隔开；使用绝缘材料填充所述第一沟槽和所述第二沟槽，以在所述第一沟槽中形成第一绝缘体，以及在所述第二沟槽中形成第二绝缘体；在填充的第一沟槽与填充的第二沟槽之间，在所述绝缘层和所述层堆中生成第三沟槽，所述第三沟槽延伸至所述底电极层中，使得所述底电极层暴露；在所述第一沟槽的、与所述第一侧相对的第二侧处生成第四沟槽，所述第四沟槽延伸通过所述绝缘层至所述顶电极层中，使得所述顶电极层暴露；使用导电材料填充所述第三沟槽和所述第四沟槽，以分别在所述第三沟槽中形成第一导电体，以及在所述第四沟槽中形成第二导电体；以及在所述绝缘层的顶部上，在填充的第三沟槽的顶部与填充的第四沟槽的顶部之间生成导电材料的桥接元件，所述桥接元件横跨填充的第一沟槽。