[发明专利]具有掺杂的缓冲区的过渡金属氧化物电阻开关式器件有效
| 申请号： | 201580074267.8 | 申请日： | 2015-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN107210361B | 公开（公告）日： | 2019-08-16 |
| 发明（设计）人： | C·A·帕斯德阿劳约;J·塞林斯卡;C·R·麦克威廉斯 | 申请（专利权）人： | 塞姆特里克斯内存有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 张海涛;于辉 |
| 地址： | 美国科*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种电阻开关式存储器，包括：第一电极和第二电极；在第一电极和第二电极之间的活性电阻转换区，所述电阻转换区包含过渡金属氧化物和包含配体的掺杂剂，所述掺杂剂具有第一浓度；在第一电极和电阻转换材料之间的第一缓冲区，第一缓冲区包含所述过渡金属氧化物和所述掺杂剂，其中所述掺杂剂具有大于第一浓度的第二浓度。在一个实施方案中，第二浓度是第一浓度的两倍。在一个实施方案中，第一缓冲区比所述活性电阻转换区厚。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 掺杂 缓冲区 过渡 金属 氧化物 电阻 开关 器件 | ||
【主权项】：
1.一种电阻开关式存储器，包括：第一电极和第二电极；在所述第一电极和所述第二电极之间的活性电阻转换区，所述活性电阻转换区包含过渡金属氧化物和包含配体的掺杂剂，所述掺杂剂具有第一浓度；和在所述第一电极和活性电阻转换材料之间的第一缓冲区，所述第一缓冲区包含所述过渡金属氧化物和所述掺杂剂，其中所述掺杂剂具有大于所述第一浓度的第二浓度。
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