[发明专利]半导体外延晶片的制造方法及固体摄像元件的制造方法有效
| 申请号： | 201580070696.8 | 申请日： | 2015-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN107431018B | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 广濑谅;奥山亮辅;栗田一成 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/322 | 分类号： | H01L21/322;H01L21/20;H01L21/265;H01L27/146 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 闫小龙;刘春元 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有更高的吸杂能力的半导体外延晶片的制造方法。本发明的半导体外延晶片(100)的制造方法的特征在于，具有：第1工序，对半导体晶片(10)的表面(10A)照射簇离子(12)，在该半导体晶片的表面部形成固溶有所述簇离子的构成元素的改性层(14)；及第2工序，在所述半导体晶片的改性层(14)上形成外延层(18)，所述第1工序在将所述半导体晶片(10)的温度保持为低于25℃的状态下进行。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 外延 晶片 制造 方法 固体 摄像 元件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体外延晶片的制造方法，其特征在于，具有：第1工序，对半导体晶片的表面照射含有碳来作为构成元素的簇离子，在该半导体晶片的表面部形成固溶有所述簇离子的构成元素的成为吸杂部位的改性层；及第2工序，在所述半导体晶片的改性层上形成外延层，所述第1工序在将所述半导体晶片的温度保持为低于25℃的状态下进行。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
