[发明专利]化合物半导体装置结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201580068727.6 | 申请日： | 2015-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN107135666B | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | 法兰克扬蒂斯·劳;丹尼尔·法兰西斯;菲洛兹·纳瑟-菲利;丹尼尔詹姆斯·推辰 | 申请（专利权）人： | RFHIC公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;王莹 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明揭露了一种半导体装置结构，其包含：单晶化合物半导体材料层；以及多晶化学气相沉积钻石材料层，其中该多晶化学气相沉积钻石材料层经由厚度小于25nm、厚度变化不大于15nm的接合层与该单晶化合物半导体材料层接合，其中通过该单晶化合物半导体材料层与该多晶化学气相沉积钻石材料层之间的接口处的瞬态热反射所测量的有效热边界电阻(TBR |
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| 搜索关键词： | 化合物 半导体 装置 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置结构，其特征在于，包含：单晶化合物半导体材料层；以及多晶化学气相沉积钻石材料层，其中所述多晶化学气相沉积钻石材料层经由厚度小于25nm、厚度变化不大于15nm的接合层与所述单晶化合物半导体材料层接合，其中通过所述单晶化合物半导体材料层与所述多晶化学气相沉积钻石材料层之间的接口处的瞬态热反射所测量的有效热边界电阻(TBReff)小于25m2K/GW，在该半导体装置结构上测量的变化幅度不超过12m2K/GW，并且其中所述单晶化合物半导体材料层具有以下特征之一或两者：电荷迁移率至少为1200cm2V‑1s‑1；以及片电阻不超过
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
