[发明专利]第III族氮化物半导体发光器件的制造方法和第III族氮化物半导体发光器件有效
| 申请号： | 201580066931.4 | 申请日： | 2015-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN107004744B | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 藤田武彦;渡边康弘 | 申请（专利权）人： | 同和电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/06 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供兼具高发光输出和长使用寿命的第III族氮化物半导体发光器件的制造方法，和第III族氮化物半导体发光器件。该方法用于制造第III族氮化物半导体发光器件，其依次包括：n型半导体层；具有由包括AlaGa1‑aN(0.3≤a≤0.8)的阱层和包括AlbGa1‑bN(0.4≤b≤0.95)的势垒层组成的量子阱结构的发光层；和p型半导体层。该方法的特征在于：用于形成p型半导体层的步骤涉及电子阻挡层形成步骤，用于在发光层上形成包括AlyGa1‑yN(b＜y≤1)的电子阻挡层；和p型接触形成步骤，用于直接在电子阻挡层上形成AlxGa1‑xN(0≤x≤0.1)的p型接触层，其中电子阻挡层形成步骤使用含有氢气作为主成分的载气进行，并且p型接触形成步骤使用含有氮气作为主成分的载气进行。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 半导体 发光 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种第III族氮化物半导体发光器件的制造方法，所述第III族氮化物半导体发光器件依次包括：n型半导体层；具有量子阱结构的发光层，所述量子阱结构中，阱层由AlaGa1‑aN形成，其中a满足0.3≤a≤0.8，且势垒层由AlbGa1‑bN形成，其中b满足0.4≤b≤0.95；和p型半导体层，其中所述p型半导体层通过包括下述的步骤形成：(i)电子阻挡层形成步骤，用于在所述发光层上形成由AlyGa1‑yN制成的电子阻挡层，其中y满足b＜y≤1；和(ii)p型接触形成步骤，用于直接在所述电子阻挡层上形成AlxGa1‑xN的p型接触层，其中x满足0≤x≤0.1，和其中所述(i)电子阻挡层形成步骤使用氢气作为载气，并且，所述(ii)p型接触形成步骤使用氮气作为载气，并且，在(i)电子阻挡层形成步骤和(ii)p型接触形成步骤之间还包括转换步骤，用于将载气从氢气转换为氮气，并且，电子阻挡层在暴露于载气和第V族元素气体的同时加热，其中氢气分压在所述转换步骤中减少。
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