[发明专利]固体摄像装置有效
| 申请号: | 201580065606.6 | 申请日: | 2015-11-26 |
| 公开(公告)号: | CN107004683B | 公开(公告)日: | 2020-10-16 |
| 发明(设计)人: | 长屋胜也;坪内孝史;嶋田遵生子;畠山耕治 | 申请(专利权)人: | JSR株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;G02B5/22;H04N5/33;H04N5/369 |
| 代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 彭雪瑞;臧建明 |
| 地址: | 日本东京港*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 本发明的课题在于抑制制造成本并提供一种检测精度高的固体摄像装置,包括:第1光学层;第2光学层;以及像素阵列,包含第1光接收元件及第2光接收元件;第2光学层在对应于第2光接收元件的部分具有开口部,第1光学层含有在波长750nm~900nm中具有至少一个最大吸收的化合物A,第2光学层含有在波长755nm~1050nm中具有至少一个最大吸收的化合物B,化合物B的最长的波长侧的最大吸收波长大于化合物A的最长的波长侧的最大吸收波长,且两者的差为5nm~150nm。 | ||
| 搜索关键词: | 固体 摄像 装置 | ||
【主权项】:
一种固体摄像装置,其包括:第1光学层,使可见光及近红外光的至少一部分透过;第2光学层,吸收近红外光的至少一部分;以及像素阵列,包含检测透过所述第1光学层及所述第2光学层的所述可见光的第1光接收元件、及检测透过所述第1光学层的所述近红外光的第2光接收元件;其特征在于:所述第2光学层在对应于所述第2光接收元件的部分具有开口部,所述第1光学层含有在波长600nm~900nm中具有至少一个最大吸收的化合物(A),所述第2光学层含有在波长755nm~1050nm中具有至少一个最大吸收的化合物(B),所述化合物(B)的最长的波长侧的最大吸收波长大于所述化合物(A)的最长的波长侧的最大吸收波长,且两者的差为5nm~150nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





