[发明专利]NiFe磁通门装置的改进工艺有效
| 申请号： | 201580065504.4 | 申请日： | 2015-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN107001934B | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | M·M·伊萨;Y·张;M·詹森 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵志刚;赵蓉民 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在所述实例中，用于以大致相等的蚀刻速率同时蚀刻NiFe和AIN的蚀刻剂包括磷酸、乙酸、硝酸和去离子水。可使用NiFe与AIN的交替层来形成集成电路(100)中磁通门磁力计的磁芯(120)。湿法蚀刻以良好的尺寸控制并且以良好的所得磁芯轮廓提供了交替层的良好蚀刻速率。NiFe与AIN的交替层可用应力缓解层(118、122)包封。可使用抗蚀剂图案来限定磁芯几何形状。可控制湿法蚀刻的过度蚀刻时间，使得蚀刻后磁芯图案延伸超过磁芯的基部至少1.5μm。用于形成抗蚀剂图案的光掩模也可用于形成应力缓解蚀刻图案。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 交替层 磁芯 抗蚀剂图案 湿法蚀刻 可用 磁通门磁力计 乙酸 应力缓解层 尺寸控制 磁芯轮廓 过度蚀刻 去离子水 蚀刻图案 图案延伸 应力缓解 磁通门 光掩模 后磁芯 可控制 蚀刻剂 硝酸 磷酸 包封 基部 相等 集成电路 改进 | ||
【主权项】：
1.一种形成集成电路的方法，所述方法包括：在所述集成电路的晶片上形成第一电介质层；在所述第一电介质层上形成由NiFe坡莫合金与AlN电介质的交替层构成的磁芯材料层；在所述磁芯材料上形成磁芯图案，所述磁芯图案使磁芯区域外部的区域暴露；用湿法蚀刻剂蚀刻以移除由所述磁芯图案暴露的所述磁芯材料，以形成磁芯，其中所述湿法蚀刻剂包括磷酸、乙酸、硝酸和去离子水；以及移除所述磁芯图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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