[发明专利]用于制备一氢三卤代硅烷的方法有效
| 申请号： | 201580064766.9 | 申请日： | 2015-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN107001054B | 公开（公告）日： | 2019-09-03 |
| 发明（设计）人： | P·J·哈德;T·斯温森;D·威廉姆斯 | 申请（专利权）人： | 美国陶氏有机硅公司;赫姆洛克半导体公司 |
| 主分类号： | C01B33/107 | 分类号： | C01B33/107 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 郭辉 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于制备包含一氢三卤代硅烷的产物的方法。所述方法包括以下步骤：1)首先向反应器中装入包含新鲜硅和回收的接触物质两者的接触物质，其中所述回收的接触物质是从用于制备一氢三卤代硅烷的无机直接法反应的制备阶段期间或之后获得的；以及此后，2)向所述反应器中供入卤化氢和另外的新鲜硅，从而形成所述产物。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 三卤代硅烷 接触物质 反应器 回收 卤化氢 直接法 新鲜 装入 | ||
【主权项】：
1.一种用于制备包含式HSiX3的一氢三卤代硅烷的产物的方法，其中每个X独立地为卤素原子，其中所述方法包括：1)向反应器中装入由新鲜硅和回收的接触物质构成的接触物质，其中所述回收的接触物质是在无机直接法反应的制备阶段期间或之后获得的；以及此后2)向所述反应器中供入式HX的卤化氢和另外的新鲜硅，从而形成所述产物。
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