[发明专利]薄膜晶体管、薄膜晶体管的制造方法以及激光退火装置有效
| 申请号： | 201580064351.1 | 申请日： | 2015-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN107004604B | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 水村通伸;畑中诚;木口哲也 | 申请（专利权）人： | 株式会社V技术 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/20;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 权鲜枝;张艳凤 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是在基板(5)上层叠地具备栅极电极(1)、源极电极(3)、漏极电极(4)以及半导体层(2)的薄膜晶体管，上述半导体层(2)是多晶硅薄膜(8)，为与上述源极电极(3)和上述漏极电极(4)分别对应的区域的上述多晶硅薄膜(8)的晶体粒径比被上述源极电极(3)和上述漏极电极(4)夹着的沟道区域(10)的上述多晶硅薄膜(8)的晶体粒径小的结构。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制造 方法 以及 激光 退火 装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，在基板上层叠地具备栅极电极、源极电极、漏极电极以及半导体层，其特征在于，上述半导体层是多晶硅薄膜，与上述源极电极和上述漏极电极分别对应的区域的上述多晶硅薄膜的晶体粒径比被上述源极电极和上述漏极电极夹着的沟道区域的上述多晶硅薄膜的晶体粒径小。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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