[发明专利]图案化基底的制备方法有效
| 申请号： | 201580059699.1 | 申请日： | 2015-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN107078026B | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 具世真;李美宿;柳亨周;金廷根;尹圣琇;朴鲁振;李济权;崔银英 | 申请（专利权）人： | 株式会社LG化学 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;C08F299/00;C08F297/00;C08F212/14;C08F212/08;C08F216/12 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;赵丹 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了制造图案化基底的方法。该方法可以应用于制造装置如电子器件或集成电路的过程，或者应用于其他用途例如制造集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、LCD、薄膜磁头或有机发光二极管；并且该方法可用于在用来制造离散磁道介质如集成电路、位元图案化介质和/或磁存储装置如硬盘驱动器的表面上构造图案。 | ||
| 搜索关键词： | 图案 基底 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种制造图案化基底的方法，包括：在基底上的沟槽内形成包含嵌段共聚物的聚合物层，所述沟槽由在所述基底上形成并排列以使其间具有间隔的台面结构形成；以及实现所述嵌段共聚物的自组装结构，其中在与包含所述嵌段共聚物的所述聚合物层接触的所述沟槽中的表面上不进行中性处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
