[发明专利]低熔点金属的超微量元素控制装置及控制方法在审
| 申请号: | 201580059461.9 | 申请日: | 2015-08-20 |
| 公开(公告)号: | CN107075716A | 公开(公告)日: | 2017-08-18 |
| 发明(设计)人: | 尹在植 | 申请(专利权)人: | 韩国基础科学支持研究院 |
| 主分类号: | C30B13/28 | 分类号: | C30B13/28;C30B29/40 |
| 代理公司: | 上海弼兴律师事务所31283 | 代理人: | 薛琦 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 本发明涉及低熔点金属的超微量元素控制装置及控制方法,更详细地,涉及如下的低熔点金属的超微量元素控制装置及控制方法,即,可使为了提高金属的纯度而对包含于金属的超微量元素进行控制的装置还对包含于因熔点低而不易形成再结晶的Ga、In等低熔点金属的超微量元素进行控制。 | ||
| 搜索关键词: | 熔点 金属 微量元素 控制 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种金属的杂质元素控制装置,其特征在于,包括:管,在内部形成有空心空间,用于收容对象金属;舟皿,位于所述管的内部,用于盛装所述对象金属;加热单元,对所述管内部的所述对象金属进行局部加热来形成液体状态的熔融部;移动单元,使所述加热单元沿着所述管的长度方向移动;冷却单元,以使所述对象金属中的除所述熔融部以外的区域成为固体状态的结晶部的方式对所述对象金属进行冷却;以及控制部,对所述加热单元的加热温度、所述冷却单元的冷却温度、所述移动单元的移动速度以及所述移动单元的移动范围中的一种以上进行控制,包含于所述对象金属的杂质聚集于所述熔融部,随着所述加热单元的移动,使所述杂质集中于所述对象金属的一侧末端部。
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