[发明专利]用于提供三维非挥发性集成存储器和动态随机存取存储器的方法与设备在审
| 申请号： | 201580058069.2 | 申请日： | 2015-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN107112041A | 公开（公告）日： | 2017-08-29 |
| 发明（设计）人： | 许富菖 | 申请（专利权）人： | NEO半导体公司 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10;H01L21/30;H01L23/48 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 何冲 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开一种存储器系统，该存储器系统能够使用呈堆栈构型排列的挥发性与非挥发性混合式存储器装置储存信息。一方面，该存储器系统包括存储器元件、汲极选择闸极(“DSG”)晶体管以及电容器元件。在一实例中，每一存储器元件包括源极端、闸极端、汲极端以及非挥发性单元。该存储器元件系以串接形式排列，且该元件互相连接在源极端与汲极端之间。该DSG晶体管的汲极端耦合至存储器元件的源极端，且该DSG晶体管的闸极端耦合至DSG信号。该电容的汲极端耦合至该第一DSG晶体管的源极端。该电容器元件被配置成执行动态随机存取存储器(“DRAM”)功能。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 提供 三维 挥发性 集成 存储器 动态 随机存取存储器 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种可储存信息的存储器装置，其包括：多个可储存信息的存储器元件，该多个存储器元件中的每一个具有源极端、闸极端、汲极端以及非挥发性单元，其中该多个存储器元件排列成串，且该存储器元件连接于源极端和汲极端之间；第一汲极选择闸极(“DSG”)晶体管，其具有源极端、汲极端和闸极端，该第一DSG晶体管的汲极端耦合于该多个存储器元件的源极端，该第一DSG晶体管的闸极端耦合于第一DSG信号；以及电容器元件，具有源极端、汲极端和闸极端，该电容器元件的汲极端耦合于该第一DSG晶体管的源极端，其中该电容器元件被配置成执行动态随机存取存储器(DRAM)功能。
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