[发明专利]碳化硅单晶的制造方法在审
| 申请号： | 201580057667.8 | 申请日： | 2015-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN107075727A | 公开（公告）日： | 2017-08-18 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木将;高须贺英良;原田真;堀勉 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/06;H05B3/62;H05B6/44 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 王海川,穆德骏 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 准备具有筒状内表面(10)的坩埚(5)。以与内表面(10)接触的方式布置原料(12)，并在坩埚(5)内以面对原料(12)的方式布置晶种(11)。通过使原料(12)升华而在晶种(11)上生长碳化硅单晶(20)。内表面(10)由包围原料(12)的第一区域(10b)和第一区域(10b)以外的第二区域(10a)形成。在生长碳化硅单晶(20)的步骤中，第一区域(10b)中每单位面积的热量小于第二区域(10a)中每单位面积的热量。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅单晶的制造方法，所述方法包括：准备具有筒状内表面的坩埚的步骤；以与所述内表面接触的方式布置原料、并在所述坩埚内以面对所述原料的方式布置晶种的步骤；和通过使所述原料升华而在所述晶种上生长碳化硅单晶的步骤，所述内表面由包围所述原料的第一区域和所述第一区域以外的第二区域形成，在所述生长碳化硅单晶的步骤中，所述第一区域中每单位面积的热量小于所述第二区域中每单位面积的热量。
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