[发明专利]包含具有亚芳基的聚合物的抗蚀剂下层膜形成用组合物有效
| 申请号: | 201580055292.1 | 申请日: | 2015-10-27 |
| 公开(公告)号: | CN107077071B | 公开(公告)日: | 2020-10-02 |
| 发明(设计)人: | 桥本圭祐;坂本力丸;西卷裕和;远藤贵文 | 申请(专利权)人: | 日产化学工业株式会社 |
| 主分类号: | G03F7/11 | 分类号: | G03F7/11;C08G61/00;C08G61/12;G03F7/004;G03F7/40;H01L21/027 |
| 代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 马妮楠;段承恩 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: |
本发明提供一种光刻工艺用抗蚀剂下层膜形成用组合物,所述光刻工艺用抗蚀剂下层膜形成用组合物具有下述特征:在高低差基板上的平坦化性能优异,向微细孔隙图案填埋的填埋性能良好,可使得成膜后的晶片表面平坦。其解决手段为包含含有下述式(1)表示的单元结构的聚合物和溶剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物。 |
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| 搜索关键词: | 包含 具有 亚芳基 聚合物 抗蚀剂 下层 形成 组合 | ||
【主权项】:
一种抗蚀剂下层膜形成用组合物,其包含聚合物和溶剂,所述聚合物含有下述式(1)表示的单元结构,式(1)中,R1~R4各自独立地表示氢原子或甲基;X1表示可被烷基、氨基、或羟基取代的包含至少一个亚芳基的二价的有机基团。
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