[发明专利]SiC单晶的制造装置和SiC单晶的制造方法

摘要

本发明提供能够使台阶流动的方向和SiC溶液在晶体生长界面的附近流动的方向为相反方向的SiC单晶的制造装置和SiC单晶的制造方法。坩埚由石墨形成，用于容纳SiC溶液。第1感应加热线圈和第2感应加热线圈卷绕在坩埚的周围。第1感应加热线圈配置于比SiC溶液的表面靠上方的位置。第2感应加热线圈配置于第1感应加热线圈的下方。电源用于向第1感应加热线圈供给第1交变电流且向第2感应加热线圈供给第2交变电流，该第2交变电流具有与第1交变电流相同的频率且向与第1交变电流相反的方向流动。自坩埚所具有的侧壁中的与SiC溶液相接触的部分的、因电源向第1感应加热线圈供给第1交变电流且向第2感应加热线圈供给第2交变电流而产生的磁场的强度达到最大的位置到SiC溶液的表面为止的距离满足预定的式子。

主权项

一种SiC单晶的制造方法，其是利用溶液生长法来制造SiC单晶的方法，在SiC单晶的制造方法中，通过使SiC晶种与容纳于坩埚的SiC溶液相接触，从而使SiC单晶生长，其中，该SiC单晶的制造方法包括以下工序：对卷绕在所述坩埚的周围并配置于比所述SiC溶液的溶液表面靠上方的位置的第1感应加热线圈供给第1交变电流，且对卷绕在所述坩埚的周围并配置于所述第1感应加热线圈的下方的第2感应加热线圈供给第2交变电流，该第2交变电流具有与所述第1交变电流相同的频率且方向与所述第1交变电流相反；以及使安装于晶种轴的下端的SiC晶种与所述SiC溶液相接触，在使自所述坩埚所具有的侧壁中的与所述SiC溶液相接触的部分的、在供给所述第1交变电流和所述第2交变电流的工序中产生的磁场的强度达到最大的位置到所述溶液表面为止的距离为D的情况下，D满足以下的式(1)，D<2dm  (1)在此，dm满足以下的式(2)，数学式1dm=ρmπfμm---(2)]]>其中，ρm是所述SiC溶液的电阻率，π是圆周率，f是所述频率，μm是所述SiC溶液的导磁率。