[发明专利]碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201580054438.0 | 申请日： | 2015-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN106796956B | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 熊谷直树;堤岳志;酒井善行;大西泰彦;藤本卓巳;福田宪司;原田信介;岡本光央 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/28;H01L29/12;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 孙昌浩;李盛泉 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明的目的在于提供碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法。在碳化硅半导体衬底的正面侧设有由p |
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| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅半导体装置，其特征在于，具备：绝缘栅结构，其将与碳化硅半导体部接触的二氧化硅膜作为栅极绝缘膜；层间绝缘膜，其覆盖所述绝缘栅结构；第一金属膜，其设置于所述层间绝缘膜的表面，且吸藏或者屏蔽氢；以及第一主电极，其设置于所述第一金属膜的表面，且与所述碳化硅半导体部电连接。
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