[发明专利]半导体装置

摘要

在半导体装置(1)中，在同一半导体基板(10)上形成有IGBT和二极管。并具备：半导体基板(10)；表面电极(11)，其被形成在半导体基板(10)的表面上；背面电极(12)，其被形成在半导体基板(10)的背面上。在半导体基板(10)上，形成有有源区(1a)、周围区(4)、结晶缺陷区(100)。在有源区(1a)中，在对所述半导体基板的表面进行俯视观察时并排设置有IGBT区(2)和二极管区(3)。在二极管区(3)中形成有：阳极区(31)，其与表面电极(11)导通；阴极区(32)，其与背面电极(12)导通；漂移区(50)，其位于阳极区(31)和阴极区(32)之间。在对半导体基板(10)的表面进行俯视观察时，周围区(4)位于有源区(1a)的周围。周围区(4)具备：p型的阱区(41)，其从半导体基板(10)的表面起到达至与阳极区(31)相比而较深的位置为止，并与表面电极(11)导通；漂移区(50)，其位于阱区(41)的背面侧，并且与二极管区(3)内的漂移区(50)连接。在结晶缺陷区(100)中被导入有复合中心，从而结晶缺陷区(100)中的复合中心的浓度与周围的复合中心的浓度相比而变得较高。结晶缺陷区(100)沿着二极管区(3)的长度方向而从二极管区(3)连续地延伸至周围区(4)为止。

主权项

一种半导体装置，其在同一半导体基板上形成有绝缘栅双极性晶体管和二极管，所述半导体装置具备：半导体基板；表面电极，其被形成在所述半导体基板的表面上；背面电极，其被形成在所述半导体基板的背面上，在所述半导体基板上，形成有有源区、周围区、复合中心导入区，在所述有源区中，在对所述半导体基板的所述表面进行俯视观察时并排设置有绝缘栅双极性晶体管区和二极管区，在所述二极管区中形成有：阳极区，其与所述表面电极导通；阴极区，其与所述背面电极导通；二极管漂移区，其位于所述阳极区和所述阴极区之间，在对所述半导体基板的所述表面进行俯视观察时，所述周围区位于所述有源区的周围，所述周围区具备：p型的阱区，其从所述半导体基板的所述表面起到达与所述阳极区相比而较深的位置为止，并与所述表面电极导通；周围漂移区，其位于所述阱区的背面侧，并且与所述二极管漂移区连接，在所述复合中心导入区中被导入有复合中心，从而所述复合中心导入区的复合中心的浓度与周围的复合中心的浓度相比而变得较高，所述复合中心导入区沿着所述二极管区的长度方向而从所述二极管漂移区起连续地延伸至所述周围漂移区为止。