[发明专利]成像装置、制造装置和制造方法有效
| 申请号： | 201580052657.5 | 申请日： | 2015-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN107078143B | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 定荣正大;万田周治 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L31/10 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 陈桂香;曹正建 |
| 地址： | 日本国神奈川*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本技术涉及能够防止例如氢等物质进入并防止性能的改变的成像装置、制造装置和制造方法。所述成像装置包含：有机光电转换膜；上电极，设置在有机光电转换膜的上部部分中；下电极，设置在有机光电转换膜的下部部分中；以及金属薄膜，设置在有机光电转换膜与上电极之间或有机光电转换膜与下电极之间。金属薄膜设置在有机光电转换膜与上电极之间。上电极由氧化物半导体、金属氧化物和金属薄膜形成。本技术可应用到垂直光谱成像装置。 | ||
| 搜索关键词： | 成像 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种成像装置，包括：有机光电转换膜；上电极，设置在所述有机光电转换膜的上部部分中；下电极，设置在所述有机光电转换膜的下部部分中；以及金属薄膜，设置在所述有机光电转换膜与所述上电极之间或所述有机光电转换膜与所述下电极之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
