[发明专利]具有隔热区域的电阻式存储器有效
| 申请号： | 201580052628.9 | 申请日： | 2015-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN107078213B | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | B·库克;N·拉马斯瓦迈;保田周一郎;S·西尔斯;宫田幸儿 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C13/00 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 张荣海 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种包括存储器单元的电阻式存储器，所述存储器单元具有第一电极、第二电极、和在所述第一电极与第二电极之间的电阻式存储器元件。所述存储器单元包括隔热区域。隔热区域可被包含在存储器单元的至少一个电极中，和/或在电绝缘区域内。隔热区域可把热约束在存储器单元内，从而能够减小为把信息写入电阻式存储器元件中所需的电流和/或电压。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 隔热 区域 电阻 存储器 | ||
【主权项】：
一种电阻式存储器，包括：存储器单元，所述存储器单元包含：具有隔热区域的顶电极；底电极；以及在所述顶电极与所述底电极之间的电阻式存储器元件。
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