[发明专利]多阈值电压CMOS的方法和装置

摘要

在第一鳍和第二鳍上分别形成共用结构堆叠的第一和第二实例。该共用结构堆叠包括功函数金属层和阻挡层。该共用结构堆叠的第一实例的该阻挡层被蚀穿，且该共用结构的第一实例的该功函数金属层被部分地蚀刻。该部分蚀刻形成作为新阻挡层的具有该功函数金属的氧化物的较薄功函数金属层。在该新阻挡层上形成栅极元件。

主权项

一种形成具有不同阈值电压的多个NMOS FinFET的方法，包括：形成包括第一鳍和第二鳍的结构；形成第一栅极堆叠，其中所述第一栅极堆叠在所述第一鳍的栅极表面上，其中所述第一栅极堆叠包括第一介电层、第一覆盖层、第一功函数金属层、第一阻挡层和第一栅电极金属；以及形成第二栅极堆叠，其中所述第二栅极堆叠在所述第二鳍的栅极表面上，其中所述第二栅极堆叠包括第二介电层、第二覆盖层、第二功函数金属层、第二阻挡层和第二栅电极金属，其中所述第一功函数金属层包括给定功函数金属，并且其中所述第二功函数金属层包括所述给定功函数金属，并且其中形成所述第二栅极堆叠包括作为所述给定功函数金属的氧化物来形成所述第二阻挡层。