[发明专利]晶圆的清洗方法及该清洗方法中使用的化学溶液

摘要

本发明提供在使用含有氯乙烯树脂作为液体接触构件的晶圆的清洗装置的晶圆的清洗中，在晶圆的凹凸图案表面形成拒水性保护膜而不使上述氯乙烯树脂劣化的拒水性保护膜形成用化学溶液、及使用该化学溶液的晶圆的清洗方法。一种晶圆的清洗方法，其是利用含有氯乙烯树脂作为液体接触构件的晶圆的清洗装置对表面具有微细的凹凸图案且该凹凸图案的至少一部分含有硅元素的晶圆进行清洗的方法，其中，将拒水性保护膜形成用化学溶液保持在前述凹凸图案的至少凹部，从而在该凹部表面形成拒水性保护膜，所述拒水性保护膜形成用化学溶液包含下述通式[1]所示的单烷氧基硅烷、下述通式[2]所示的磺酸、及稀释溶剂，该稀释溶剂相对于稀释溶剂的总量100质量％包含80～100质量％的醇。(R1)aSi(H)3‑a(OR2) [1][式[1]中，R1各自独立地为选自一部分或全部的氢元素任选被氟元素取代的碳数1～18的一价烃基中的至少1种基团，R2为一部分或全部的氢元素任选被氟元素取代的碳数1～18的一价烃基，a为1～3的整数。]R3‑S(＝O)2OH [2][式[2]中，R3为选自由一部分或全部的氢元素任选被氟元素取代的碳数1～8的一价烃基、及羟基组成的组中的基团。]。

主权项

一种晶圆的清洗方法，其是利用含有氯乙烯树脂作为液体接触构件的晶圆的清洗装置对表面具有微细的凹凸图案且该凹凸图案的至少一部分含有硅元素的晶圆进行清洗的方法，其中，将拒水性保护膜形成用化学溶液保持在所述凹凸图案的至少凹部，从而在该凹部表面形成拒水性保护膜，所述拒水性保护膜形成用化学溶液包含下述通式[1]所示的单烷氧基硅烷、下述通式[2]所示的磺酸、及稀释溶剂，该稀释溶剂相对于稀释溶剂的总量100质量％包含80～100质量％的醇，(R1)aSi(H)3‑a(OR2)   [1]式[1]中，R1各自独立地为选自一部分或全部的氢元素任选被氟元素取代的碳数1～18的一价烃基中的至少1种基团，R2为一部分或全部的氢元素任选被氟元素取代的碳数1～18的一价烃基，a为1～3的整数，R3‑S(＝O)2OH   [2]式[2]中，R3为选自由一部分或全部的氢元素任选被氟元素取代的碳数1～8的一价烃基、及羟基组成的组中的基团。