[发明专利]用于制造包括薄半导体晶圆的半导体器件的方法

摘要

提供了一种用于制造垂直功率半导体器件的方法，其中在半导体晶圆（101）的第一主面（103）提供第一杂质。第一氧化物层（112）被形成在所述晶圆（101）的所述第一主面（103）上，其中所述第一氧化物层（112）以如下方式采用第二杂质部分地被掺杂：采用所述第二杂质掺杂的所述第一氧化物层（112）的任何第一部分被没有采用所述第二杂质被掺杂的且被部署在所述第一氧化物层（112）的所述第一部分和所述半导体晶圆（101）的所述第一主面（103）之间的所述第一氧化物层（112）的第二部分来与所述半导体晶圆隔离开。其后，载体晶圆（115）被接合到所述第一氧化物层（112）。在所述半导体晶圆（101）的所述第二主面（102）上的线前段处理期间，所述第二杂质从所述第一氧化物层（112）通过在所述线前段处理期间生成的热量从所述半导体晶圆（101）的第一主面（103）被扩散到所述半导体晶圆（101）中。

主权项

1.一种用于制造垂直功率半导体器件的方法，其中所述方法包括以下步骤：/n（i）提供具有第一主面（103）以及与所述第一主面（103）相对的第二主面（102）的半导体晶圆（101）；/n（ii）将第一杂质应用到所述第一主面（103）上；/n（iii）在所述半导体晶圆（101）的至少所述第一主面（103）上形成第一氧化物层（112）；/n（iv）在步骤iii）之后，将载体晶圆（115）接合到所述半导体晶圆（101）的所述第一主面（103）上的所述第一氧化物层（112）；/n（v）在所述接合步骤（iv）之后，在所述半导体晶圆（101）的所述第二主面（102）上进行线前段处理；/n（vi）在所述线前段处理步骤（v）之后，至少部分地移除所述载体晶圆（115）以及所述半导体晶圆（101）的所述第一主面（103）上的所述第一氧化物层（112）；以及/n（vii）在所述移除步骤（vi）之后，在所述半导体晶圆（101）的所述第一主面（103）上形成背部金属化层（110），以形成到所述半导体晶圆（101）的欧姆接触，/n特征在于/n在步骤iii）中，采用第二杂质对所述半导体晶圆（101）的所述第一主面（103）上形成的所述第一氧化物层（112）以如下方式进行部分掺杂：采用所述第二杂质掺杂的所述第一氧化物层（112）的任何第一部分被没有采用所述第二杂质掺杂的且被部署在所述第一氧化物层（112）的所述第一部分和所述半导体晶圆（101）的所述第一主面（103）之间的所述第一氧化物层（112）的第二部分来与所述半导体晶圆隔离开；/n在步骤v）中，通过在所述线前段处理期间生成的热量将来自所述第一氧化物层（112）的所述第二杂质从所述半导体晶圆（101）的第一主面（103）扩散到所述半导体晶圆（101）中；/n在步骤vi）中，彻底地移除所述载体晶圆（115）以及所述半导体晶圆（101）的所述第一主面（103）上的所述第一氧化物层（112）。/n