[发明专利]晶种卡盘和包括其的晶锭生长装置在审

专利信息
申请号: 201580047651.9 申请日: 2015-07-28
公开(公告)号: CN106661757A 公开(公告)日: 2017-05-10
发明(设计)人: 姜钟珉;卢台植 申请(专利权)人: LG矽得荣株式会社
主分类号: C30B15/32 分类号: C30B15/32;C30B29/06;C30B15/20
代理公司: 北京派特恩知识产权代理有限公司11270 代理人: 吕艳英,张颖玲
地址: 韩国庆*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及一种容纳晶种以便在熔融硅中生长晶锭的晶种卡盘,包括用于阻挡沿熔融硅的向上方向的热发射的颈盖;以及布置在颈盖的底表面上并容纳晶种的固定部,其中,所述颈盖包括与提升索连接的顶表面;底表面;以及连接顶表面和底表面的圆周表面,圆周表面形成为相对于底表面具有倾斜角,并且在颈盖中用于测量熔融硅的测量部是开口的,使得颈盖位于上隔热体的孔上,以便在熔化步骤期间使通过上隔热体的孔的热损失最小化且不干扰熔融硅的温度测量,从而有助于熔融硅的温度测量并提高熔融硅温度感测的可靠性。
搜索关键词: 卡盘 包括 生长 装置
【主权项】:
一种晶种卡盘,所述晶种卡盘构造成容纳用于从熔融硅生长晶锭的晶种,所述晶种卡盘包括:颈盖,所述颈盖构造成阻止热量沿所述熔融硅的向上方向排出;以及固定部,所述固定部配置在所述颈盖的底表面上并且构造成容纳所述晶种,其中:所述颈盖包含连接到提升索的顶表面、底表面和构造成将所述顶表面连接到所述底表面的圆周表面;所述圆周表面形成为相对于所述底表面具有倾斜角;并且所述颈盖具有测量部,所述测量部是开口的,以用于测量熔融硅。
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