[发明专利]半导体元件的制造方法在审
| 申请号： | 201580045314.6 | 申请日： | 2015-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN106716600A | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 若林直木;川崎辉尚 | 申请（专利权）人： | 住友重机械工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/268;H01L21/329;H01L29/06;H01L29/47;H01L29/872 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司44202 | 代理人： | 温旭,郝传鑫 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体元件的制造方法。在本发明中，在由碳化硅制成的基板的第1表面形成含有选自由钛、钨、钼及铬构成的组中的至少一种金属的金属膜。对金属膜照射波长为330nm～370nm范围内的脉冲激光束，使得在基板与金属膜之间的界面产生硅化反应，从而形成金属硅化物膜。金属膜的厚度为30nm以上，脉冲激光束的脉冲宽度在20ns～200ns的范围内，并且以如下方式选择能量密度，即满足金属膜的表面的最高到达温度不超过金属膜的熔点且金属膜与基板之间的界面的最高到达温度成为金属膜的硅化反应温度以上的条件。通过上述方法，不使形成于SiC基板上的金属膜熔融即可形成金属硅化物膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件的制造方法，其特征在于，具有：在由碳化硅制成的基板的第1表面上形成含有选自由钛、钨、钼及铬构成的组中的至少一种金属的金属膜的工序；及对所述金属膜照射波长为330nm～370nm范围内的脉冲激光束，使得在所述基板与所述金属膜之间的界面产生硅化反应，从而形成金属硅化物膜的工序，所述金属膜的厚度为30nm以上，所述脉冲激光束的脉冲宽度在20ns～200ns的范围内，并且以满足如下条件的方式选择能量密度，即所述金属膜的表面的最高到达温度不超过所述金属膜的熔点且所述金属膜与所述基板之间的界面的最高到达温度成为所述金属膜的硅化反应温度以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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