[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201580045037.9 | 申请日： | 2015-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN106575668B | 公开（公告）日： | 2019-09-03 |
| 发明（设计）人： | 添野明高 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41;H01L21/28;H01L21/329;H01L21/336;H01L21/8234;H01L27/06;H01L27/088;H01L29/78;H01L29/861;H01L29/868;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 黄威;苏萌萌 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置，具有：半导体基板，其在表面上形成有沟槽；沟槽电极，其被配置在所述沟槽内；层间绝缘膜，其对所述沟槽电极的表面进行覆盖，并从所述半导体基板的所述表面突出；肖特基电极，其被配置在所述半导体基板的所述表面上，并被配置在从所述层间绝缘膜离开了的位置处，且相对于所述半导体基板而肖特基接触；埋入电极，其被配置在所述层间绝缘膜与所述肖特基电极之间的凹部内，并由与所述肖特基电极不同的金属而构成；表面电极，其对所述层间绝缘膜、所述埋入电极以及所述肖特基电极进行覆盖。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具有：半导体基板，其在表面上形成有沟槽；沟槽电极，其被配置在所述沟槽内；层间绝缘膜，其对所述沟槽电极的表面进行覆盖，并从所述半导体基板的所述表面突出；肖特基电极，其被配置在所述半导体基板的所述表面上，并被配置在从所述层间绝缘膜离开了的位置处，且相对于所述半导体基板而肖特基接触，埋入电极，其被配置在所述层间绝缘膜与所述肖特基电极之间的凹部内，并由与所述肖特基电极不同的金属而构成；表面电极，其对所述层间绝缘膜、所述埋入电极以及所述肖特基电极进行覆盖，在被所述埋入电极覆盖的范围内，所述半导体基板的所述表面与所述肖特基电极的侧面之间的角度大于90度。
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