[发明专利]用于静态随机存取存储器寄存器文件的硅锗读端口有效
| 申请号： | 201580044949.4 | 申请日： | 2015-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN106575521B | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | N·莫江德;S·S·宋;Z·王;C·F·耶普 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/412 | 分类号： | G11C11/412;G11C11/419;H01L27/11;H01L29/10 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 周敏;陈炜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种静态随机存取存储器(SRAM)电路包括写端口以及耦合至该写端口的读端口。该读端口包括读位线以及具有硅锗(SiGe)沟道的第一p型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管。该读端口还包括具有第二SiGe沟道的第二PMOS晶体管，其中该第二PMOS晶体管被耦合至第一PMOS晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 静态 随机存取存储器 寄存器 文件 硅锗读 端口 | ||
【主权项】：
一种静态随机存取存储器(SRAM)电路，包括：写端口；以及耦合至所述写端口的读端口，所述读端口包括：具有硅锗(SiGe)沟道的第一p型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管；以及具有SiGe沟道的第二PMOS晶体管，其中所述第二PMOS晶体管被耦合至所述第一PMOS晶体管。
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