[发明专利]将用于电子装置的层堆叠图案化有效
| 申请号： | 201580044506.5 | 申请日： | 2015-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN107078027B | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | S·诺弗尔 | 申请（专利权）人： | 弗莱克因艾伯勒有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/308 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 欧阳帆 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供有一种将限定了一个或多个电子装置元件的层的堆叠图案化的方法，包括：通过激光烧蚀在层的堆叠的最上面的部分中创建第一厚度剖面；以及刻蚀层的堆叠以将第一厚度剖面转化为下部水平处的第二厚度剖面；其中刻蚀减小了堆叠的所述最上面的部分的厚度和在堆叠的所述层上面的部分之下的一个或多个下部层的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 电子 装置 堆叠 图案 | ||
【主权项】：
一种将限定了一个或多个电子装置元件的层的堆叠图案化的方法，包括：通过激光烧蚀在层的堆叠的最上面的部分中创建第一厚度剖面；以及刻蚀层的堆叠以将第一厚度剖面转化为下部水平处的第二厚度剖面；其中刻蚀减小了堆叠的所述最上面的部分的厚度和堆叠的所述最上面的部分之下的一个或多个下部层的厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
