[发明专利]集成束缚模式频谱/角度传感器

摘要

一种2D传感器阵列包括半导体衬底和布置在半导体衬底上的多个像素。每一个像素包括耦合区和结区，以及平板波导结构，所述平板波导结构布置在半导体衬底上并且从耦合区延伸到区。平板波导包括布置在第一包覆层与第二包覆层之间的限制层。第一包覆和第二包覆每一个具有比限制层的折射率低的折射率。每一个像素还包括布置在耦合区中和平板波导内的耦合结构。耦合结构包括具有不同折射率的至少两种材料，其布置为由光栅周期限定的光栅。结区包括与电接触件连通的p‑n结以用于偏置和收集由入射辐射的吸收引起的载流子。

主权项

一种2D传感器阵列，包括：半导体衬底，布置在半导体衬底上的多个像素，其中所述多个像素中的每一个包括：至少一个耦合区和至少一个结区；平板波导结构，布置在半导体衬底上并且从所述至少一个耦合区延伸到所述至少一个结区，并且包括布置在第一包覆层与第二包覆层之间的限制层，其中第一包覆和第二包覆每一个具有比限制层的折射率低的折射率；以及布置在耦合区中和平板波导内的至少一个耦合结构，所述耦合结构包括具有不同折射率并且布置为由光栅周期限定的光栅的至少两种材料，其中结区包括与电接触件连通的p‑n结以用于偏置和收集由入射辐射的吸收引起的载流子。