[发明专利]光电二极管、光电二极管阵列、以及固体摄像元件

摘要

对光电转换而产生的电荷在雪崩区域进行倍增的光电二极管(1)具备：具有界面(S1)与界面(S2)的P‑型半导体层(11)；在P‑型半导体层(11)的内部且与界面(S1)相接的N+型半导体区域(12)；在P‑型半导体层(11)的内部且与N+型半导体区域(12)连接的N+型半导体区域(13)；以及被配置在N+型半导体区域(13)与界面(S2)之间的P型半导体区域(14)，N+型半导体区域(12)、N+型半导体区域(13)、以及P型半导体区域(14)的杂质浓度比P‑型半导体层(11)的杂质浓度高，雪崩区域是在P‑型半导体层(11)的内部由N+型半导体区域(13)与P型半导体区域(14)夹着的区域，N+型半导体区域(12)在平面视中，其面积比N+型半导体区域(13)小。

主权项

一种光电二极管，将通过光电转换而产生的电荷在雪崩区域进行倍增，该光电二极管具有：半导体层，具有第一面、以及与所述第一面相对的第二面；第一半导体区域，被配置在所述半导体层的内部，与所述第一面相接；第二半导体区域，被配置在所述半导体层的内部，与所述第一半导体区域连接；以及第三半导体区域，被配置在所述第二半导体区域与所述第二面之间，所述半导体层以及所述第三半导体区域是第一导电型，所述第一半导体区域以及所述第二半导体区域是与所述第一导电型相反的第二导电型，所述第一半导体区域、所述第二半导体区域、以及所述第三半导体区域的杂质浓度分别比所述半导体层的杂质浓度高，所述雪崩区域是在所述半导体层的内部，由所述第二半导体区域与所述第三半导体区域夹着的区域，在平面视的情况下，所述第一半导体区域比所述第二半导体区域的面积小。