[发明专利]具有至少部分地由保护结构来限定的气隙的半导体器件在审
| 申请号： | 201580040326.X | 申请日： | 2015-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN106575638A | 公开（公告）日： | 2017-04-19 |
| 发明（设计）人： | J·J·朱;J·J·徐;C·F·耶普;S·S·宋;K·利姆 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522;H01L23/532 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 陈小刚 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种装置包括第一互连和第一阻挡结构。第一阻挡结构与电介质材料接触。该装置进一步包括与第一阻挡结构和蚀刻停止层接触的第一保护结构。至少部分地由第一保护结构和蚀刻停止层来限定气隙。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 至少 部分 保护 结构 限定 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种装置，包括：包含第一阻挡结构的第一互连，其中所述第一阻挡结构与电介质材料接触；以及与所述第一阻挡结构和第一蚀刻停止层接触的第一保护结构，其中至少部分地由所述第一保护结构和所述第一蚀刻停止层来限定气隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
