[发明专利]擦除FeFET存储器电路的方法有效
| 申请号： | 201580039628.5 | 申请日： | 2015-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN106537509B | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | 斯特凡·费迪南德·米勒 | 申请（专利权）人： | 纳姆实验有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C11/22 | 分类号： | G11C11/22 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 梁丽超;刘冀 |
| 地址： | 德国德*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 描述了一种用于擦除包括多个存储器单元的铁电场效应晶体管(FeFET)存储器电路的技术，该存储器单元包括FeFET。每个FeFET包括栅极堆叠、源极、漏极、沟道和块体衬底区域，其中栅极堆叠包括栅极和设置在栅极与沟道之间的铁电层。根据沟道类型，向至少一个FeFET存储器单元的源极和漏极区施加正或负电压。在向FeFET存储器单元的源极和漏极区施加正电压期间，栅极和块体衬底区域保持在接地状态，以致使至少一个FeFET存储器单元的擦除。此外，描述了具有邻近栅极堆叠内的铁电层设置的电荷存储层的FeFET。 | ||
| 搜索关键词： | 电荷 存储 存储器 混合 擦除 方案 | ||
【主权项】：
1.一种用于擦除包括多个铁电场效应晶体管FeFET存储器单元的FeFET存储器电路的方法，每个FeFET包括栅极堆叠、源极、漏极、沟道和块体衬底区域，其中所述栅极堆叠包括栅极和设置在所述栅极与所述沟道之间的铁电层，所述方法包括：向所述多个FeFET存储器单元中的至少一个FeFET存储器单元的源极区和漏极区分别施加第一电压和第二电压；以及在向所述至少一个FeFET存储器单元的所述源极区和所述漏极区施加所述第一电压和所述第二电压期间，向所述至少一个FeFET存储器单元的栅极和块体衬底区域分别施加第三电压和第四电压，以致使所述至少一个FeFET存储器单元的擦除，其中所述第三电压为接地状态或电压极性与所述第一电压和所述第二电压相反的电压中的一个，并且其中所述第四电压为接地状态或电压极性与所述第一电压和所述第二电压相同且绝对值低于所述第一电压和所述第二电压的电压中的一个。
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