[发明专利]非等向性导电膜及使用其的半导体元件有效

专利信息
申请号: 201580039422.2 申请日: 2015-05-29
公开(公告)号: CN106537518B 公开(公告)日: 2018-06-12
发明(设计)人: 黄慈英;姜炅求;金智软;朴憬修;朴永祐;申颍株;郑光珍 申请(专利权)人: 三星SDI株式会社
主分类号: H01B1/20 分类号: H01B1/20;H01B5/00
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 李艳;臧建明
地址: 韩国京畿道龙仁*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明涉及一种非等向性导电膜及使用其的半导体元件,所述非等向性导电膜包括式1的阳离子聚合催化剂,以及式2或式3的化合物。非等向性导电膜包括由式1所表示的阳离子聚合催化剂,以在低温下达成快速固化;以及非等向性导电膜包括由式2或式3所表示的化合物,以提升稳定性,式1到式3中的取代基与说明书中描述的相同。
搜索关键词: 非等向性 导电膜 阳离子聚合催化剂 半导体元件 快速固化
【主权项】:
一种非等向性导电膜,其包括:由式1所表示的阳离子聚合催化剂;以及由式2或式3所表示的化合物,[式1]在式1中,R1至R5各自独立为氢原子、烷基、乙酰基、烷氧羰基、苯甲酰基或苯甲氧羰基;以及R6和R7各自独立为烷基、芐基、邻甲基芐基、间甲基芐基、对甲基芐基或萘甲基,[式2]在式2中,R8至R13中至少一个为羟基,而剩余的取代基各自独立为氢原子或巯基,或者所述剩余的取代基各自独立为经取代或未经取代的烷基、经取代或未经取代的烷硫基、经取代或未经取代的乙酰基、经取代或未经取代的烷氧羰基、经取代或未经取代的苯甲酰基或经取代或未经取代的苯甲氧羰基,[式3]在式3中,R14至R21中至少一个为羟基,而剩余的取代基各自独立为氢原子或巯基,或者所述剩余的取代基各自独立为经取代或未经取代的烷基、经取代或未经取代的烷硫基、经取代或未经取代的乙酰基、经取代或未经取代的烷氧羰基、经取代或未经取代的苯甲酰基或经取代或未经取代的苯甲氧羰基。
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