[发明专利]半导体装置及其制造方法以及包括该半导体装置的显示装置有效
| 申请号： | 201580038493.0 | 申请日： | 2015-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN106537604B | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 肥塚纯一;冈崎健一;黑崎大辅;岛行德;保坂泰靖 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G02F1/1368;G09F9/30;H01L21/28;H01L21/336;H01L51/50;H05B33/14 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 叶培勇;姜甜 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 晶体管包括栅电极、栅电极上的栅极绝缘膜、栅极绝缘膜上的氧化物半导体膜、与氧化物半导体膜电连接的源电极、与氧化物半导体膜电连接的漏电极。氧化物半导体膜包括栅电极一侧的第一氧化物半导体膜以及第一氧化物半导体膜上的第二氧化物半导体膜。第一氧化物半导体膜包括其中In的原子个数比大于M(M表示Ti、Ga、Sn、Y、Zr、La、Ce、Nd或Hf)的原子个数比的第一区域。第二氧化物半导体膜包括其中In的原子个数比小于第一氧化物半导体膜的第二区域。第二区域包括薄于第一区域的部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 以及 包括 显示装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：晶体管，包括：栅电极；所述栅电极上的栅极绝缘膜；所述栅极绝缘膜上的氧化物半导体膜；与所述氧化物半导体膜电连接的源电极；以及与所述氧化物半导体膜电连接的漏电极，其中，所述氧化物半导体膜包括第一氧化物半导体膜以及所述第一氧化物半导体膜上的第二氧化物半导体膜，所述第一氧化物半导体膜包括其中In的原子个数比大于M的原子个数比的第一区域，M表示Ti、Ga、Sn、Y、Zr、La、Ce、Nd或Hf，所述第二氧化物半导体膜包括其中In的原子个数比小于所述第一氧化物半导体膜的In的原子个数比的第二区域，并且，所述第二区域包括薄于所述第一区域的部分。
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