[发明专利]GaAs晶体有效
| 申请号： | 201580038381.5 | 申请日： | 2015-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN106536795B | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 谷崎圭祐;并川靖生 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/42 | 分类号： | C30B29/42;H01L33/16 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
一种GaAs晶体，其具有20cm |
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| 搜索关键词： | gaas 晶体 | ||
【主权项】：
一种GaAs晶体，其具有20cm‑1以下的以下述的表达式1表示的Δx(1)，其中xi表示归属于在(100)面内的s个点处的拉曼光谱测定中的第i个点处测定的拉曼光谱中的GaAs的纵光学声子的振荡的第一峰的拉曼位移，xBL表示氖的发射谱线峰的拉曼位移，并且i和s各自为大于0的自然数。
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