[发明专利]CMP用研磨液和研磨方法在审
| 申请号： | 201580036639.8 | 申请日： | 2015-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN106471090A | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 筱田隆;太田宗宏;山村奈央;木野爱子 | 申请（专利权）人： | 日立化成株式会社 |
| 主分类号： | C09K3/14 | 分类号： | C09K3/14;B24B37/00;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司11243 | 代理人： | 钟晶,陈彦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于对绝缘材料进行研磨的CMP用研磨液，其含有满足下述条件(A)和(B)的氧化铈粒子、4‑吡喃酮系化合物、以及水。条件(A)前述氧化铈粒子的平均粒径R为大于或等于50nm且小于或等于300nm。条件(B)由使前述氧化铈粒子为具有前述平均粒径R的圆球状粒子时该圆球状粒子的比表面积S1和通过BET法测定的前述氧化铈粒子的比表面积S2给出的圆球度S2/S1为小于或等于3.15。 | ||
| 搜索关键词： | cmp 研磨 方法 | ||
【主权项】：
一种CMP用研磨液，用于对绝缘材料进行研磨，所述CMP用研磨液含有满足下述条件(A)和(B)的氧化铈粒子、下述通式(1)所表示的4‑吡喃酮系化合物、以及水，条件(A)：所述氧化铈粒子的平均粒径R为大于或等于50nm且小于或等于300nm，条件(B)：由使所述氧化铈粒子为具有所述平均粒径R的圆球状粒子时该圆球状粒子的比表面积S1和通过BET法测定的所述氧化铈粒子的比表面积S2给出的圆球度S2/S1为小于或等于3.15，[化1]式中，X11、X12和X13各自独立地为氢原子或1价的取代基。
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