[发明专利]层叠体的品质评价方法、以及氧化物半导体薄膜的品质管理方法有效
| 申请号： | 201580035431.4 | 申请日： | 2015-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN106575629B | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 川上信之;林和志;钉宫敏洋;越智元隆 | 申请（专利权）人： | 株式会社神户制钢所 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张玉玲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供对氧化物半导体薄膜及在该氧化物半导体薄膜的表面具有保护膜的层叠体的品质、以及氧化物半导体薄膜的品质管理方法能够准确且简便地进行评价的方法。本发明涉及的氧化物半导体薄膜及在上述氧化物半导体薄膜的表面具有保护膜的层叠体的品质评价方法具有：第1步骤，在基板上形成氧化物半导体薄膜后，利用接触式方法或非接触式方法测定上述氧化物半导体薄膜的电子状态，由此评价由上述氧化物半导体薄膜的膜中缺陷引起的不良；和第2步骤，在利用基于上述评价确定的条件进行处理后的氧化物半导体薄膜的表面上形成保护膜后，利用接触式方法或非接触式方法测定上述氧化物半导体薄膜的电子状态，由此评价由上述氧化物半导体薄膜与上述保护膜的界面缺陷引起的不良。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 半导体 薄膜 上述 表面 具有 保护膜 层叠 品质 评价 方法 以及 管理 | ||
【主权项】：
1.一种层叠体的品质评价方法，其是氧化物半导体薄膜及在所述氧化物半导体薄膜的表面上具有保护膜的层叠体的品质评价方法，该评价方法具有：第1步骤，在基板上形成氧化物半导体薄膜后，利用接触式方法或非接触式方法测定所述氧化物半导体薄膜的电子状态，由此评价由所述氧化物半导体薄膜的膜中缺陷引起的不良；和第2步骤，在利用基于所述评价确定的条件进行处理后的氧化物半导体薄膜的表面上形成保护膜后，利用接触式方法或非接触式方法测定所述氧化物半导体薄膜的电子状态，由此评价由所述氧化物半导体薄膜与所述保护膜的界面缺陷引起的不良，其中，所述氧化物半导体薄膜的电子状态是基于所述氧化物半导体薄膜的电阻率测定得到的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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