[发明专利]钝化层形成用组合物、带钝化层半导体基板及制法、太阳能电池元件及制法及太阳能电池在审
申请号: | 201580035295.9 | 申请日: | 2015-07-02 |
公开(公告)号: | CN106471626A | 公开(公告)日: | 2017-03-01 |
发明(设计)人: | 早坂刚;吉田诚人;野尻刚;仓田靖;田中彻;森下真年;儿玉俊辅 | 申请(专利权)人: | 日立化成株式会社 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L21/316;H01L31/18 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 葛凡 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供包含下述通式(I)所示的化合物和水的第1钝化层形成用组合物及包含下述通式(I)所示的化合物的水解物的第2钝化层形成用组合物。通式(I)M(OR1)m[通式(I)中,M表示选自Al、Nb、Ta、VO、Y及Hf中的至少1种。R1分别独立地表示烷基或芳基。m表示1~5的整数]。 | ||
搜索关键词: | 钝化 形成 组合 半导体 制法 太阳能电池 元件 | ||
【主权项】:
一种钝化层形成用组合物,其包含下述通式(I)所示的化合物和水,M(OR1)m (I)通式(I)中,M表示选自Al、Nb、Ta、VO、Y及Hf中的至少1种,R1分别独立地表示烷基或芳基,m表示1~5的整数。
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