[发明专利]利用电荷注入的读出电路的结构

摘要

本发明涉及一种读出电路结构，其形成在第一类型的半导体衬底(1)上，并且旨在根据连续的电荷积分周期来测量从在衬底(1)外部的外部电荷源(2)接收的电荷，所述结构包括：注入二极管，其配置为将从外部的电荷源(2)接收的电荷注入到衬底(1)中；收集二极管，其适合于在衬底(1)中收集通过注入二极管注入的电荷的至少一部分，并且适合于在积分周期期间积累所述电荷；电荷恢复结构(7)，其配置为恢复积累在所述收集二极管中的电荷；用于通过所述电荷恢复结构的电势还原为初始电势而在每个积分周期结束时将电荷恢复结构(7)初始化的装置。

主权项

1.一种读出电路结构，其形成在第一类型的半导体衬底(1)上，并且旨在根据连续的电荷积分周期来测量从在衬底(1)的外部的电荷源(2)接收到的电荷，所述结构包括：·注入二极管，其在衬底(1)中通过第一正向偏置PN结形成，所述第一正向偏置PN结包括衬底(1)的第二类型的第一掺杂区域(4)，所述第一掺杂区域(4)用于从所述外部的电荷源(2)接收电荷，并且所述注入二极管配置为用于将从外部的电荷源(2)接收到的电荷注入到衬底(1)中，·收集二极管，其在衬底(1)中由第二PN结形成，所述第二PN结包括隐埋在衬底(1)中的第二类型的第二掺杂区域(6)，并且所述收集二极管能够在衬底(1)中收集通过注入二极管而注入的电荷的至少一部分，并且能够在积分周期期间积累这些电荷，·电荷恢复结构，其配置为用于恢复在形成于衬底(1)中的所述收集二极管中积累的电荷，·用于通过将所述电荷恢复结构的电势改变回至初始电势而在每个积分周期结束时初始化电荷恢复结构的装置。