[发明专利]用于实时抛光配方控制的方法及系统有效
| 申请号: | 201580029372.X | 申请日: | 2015-06-04 |
| 公开(公告)号: | CN106415797B | 公开(公告)日: | 2020-02-21 |
| 发明(设计)人: | 杰米·S·莱顿;伊辛·彭 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
| 主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 本发明提供用于实时控制抛光工艺的系统及方法。在第一数据集及第二数据集中分别辨识第一特性及第二特性,每一数据集对应于实时晶片抛光数据。计算第一特性与第二特性出现在其各个数据集内的时间之间的时间增量,然后基于计算得出的时间增量实时更新抛光参数。 | ||
| 搜索关键词: | 用于 实时 抛光 配方 控制 方法 系统 | ||
【主权项】:
一种方法,所述方法包括以下步骤:在对应于晶片上的第一区域的第一系列测量结果的第一数据集内,辨识在第一时间点发生的第一特性,其中所述第一数据集是当在所述晶片上的所述第一区域根据第一抛光参数值而抛光时实时产生;在对应于所述晶片上的第二区域的第二系列测量结果的第二数据集内,辨识在第二时间点发生的第二特性,其中所述第二数据集是当在所述晶片上的所述第二区域根据第二抛光参数值而抛光时实时产生;计算时间增量,其中所述时间增量是所述第一时间点与所述第二时间点之间的差异;及基于所述时间增量而更新所述第一抛光参数值或所述第二抛光参数值中的至少一者。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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