[发明专利]半导体装置

摘要

在终端结构部呈包围活性区域的周围的同心圆状地设有第一JTE区域、第二JTE区域。在第一JTE区域、第二JTE区域间设有p型的电场缓和区域(20)。电场缓和区域(20)是通过将第一小区域(21)和第二小区域(22)交替反复地配置成包围第一JTE区域的周围的同心圆状而成。电场缓和区域(20)的平均杂质浓度比与内侧邻接的第一JTE区域的杂质浓度高，且比与外侧邻接的第二JTE区域的杂质浓度低。第一小区域(21)越配置于外侧，以越窄的宽度(x₁)设置。第二小区域(22)无论配置位置如何，均以几乎相同的宽度(x₂)设置。第一小区域(21)的杂质浓度与第一JTE区域的杂质浓度相等。第二小区域(22)的杂质浓度与第二JTE区域的杂质浓度相等。能够避免成本增加，并且能够提高终端结构部的耐压。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：第一导电型的半导体基板，其包括碳化硅半导体；活性区域，其设置于所述半导体基板的正面，供主电流流通；以及终端结构部，其包围所述活性区域的周围，所述终端结构部具有：多个第二导电型半导体区域，其被设置为包围所述活性区域的周围的同心圆状，且以越配置于外侧，杂质浓度越低的方式被配置；以及第二导电型中间区域，其以在至少1组相邻的所述第二导电型半导体区域之间相互接触的方式设置，杂质浓度低于与内侧邻接的所述第二导电型半导体区域的杂质浓度，且杂质浓度高于与外侧邻接的所述第二导电型半导体区域的杂质浓度，所述第二导电型中间区域被设置为包围与内侧邻接的所述第二导电型半导体区域的周围的同心圆状，通过交替反复地配置第二导电型的第一小区域与杂质浓度低于所述第一小区域的杂质浓度的第二导电型的第二小区域而成，多个所述第二小区域以相同的宽度设置，多个所述第一小区域以越配置于外侧，宽度越窄的方式被设置。