[发明专利]用于处理持久存储器中的错误的技术有效

专利信息
申请号: 201580028955.0 申请日: 2015-05-28
公开(公告)号: CN106462480B 公开(公告)日: 2020-10-27
发明(设计)人: M.J.库马;M.K.纳基穆图;C.C.拉德 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: G06F11/07 分类号: G06F11/07;G06F9/22
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 张金金;付曼
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 示例可包括对于与非易失性双列直插式存储器模块(NVDIMM)的控制器通信的计算平台的基本输入/输出系统(BIOS)。BIOS与控制器之间的通信可包括对控制器扫描并且识别NVDIMM处的非易失性存储器中的错误位点的请求。非易失性存储器可能够对NVDIMM提供持久存储器。
搜索关键词: 用于 处理 持久 存储器 中的 错误 技术
【主权项】:
一种装置,其包括:非易失性双列直插式存储器模块(NVDIMM)上驻存的控制器处的电路;接收部件,用于供所述电路执行来接收错误扫描请求;错误部件,用于供所述电路执行以响应于所述错误扫描请求来扫描所述NVDIMM处的非易失性存储器的设备物理地址范围并且识别所述设备物理地址范围中的未校正错误,所述非易失性存储器能够对所述NVDIMM提供持久存储器;以及指示部件,用于供所述电路执行来对与所述NVDIMM耦合的计算平台的基本输入/输出系统(BIOS)指示具有识别的未校正错误的设备物理地址。
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