[发明专利]晶体管有效
| 申请号： | 201580024522.8 | 申请日： | 2015-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN106537601B | 公开（公告）日： | 2020-02-18 |
| 发明（设计）人： | 黛哲;马克·费希尔 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一些实施例包含在第一半导体材料上具有第二半导体材料的构造。归因于所述第一及第二半导体材料的不同晶格特性，所述第二半导体材料接近所述第一半导体材料的区域具有应变。晶体管栅极向下延伸到所述第二半导体材料中。栅极电介质材料是沿着所述晶体管栅极的侧壁及底部。源极/漏极区域是沿着所述晶体管栅极的所述侧壁，且所述栅极电介质材料处于所述源极/漏极区域与所述晶体管栅极之间。沟道区域在所述源极/漏极区域之间延伸且处于所述晶体管栅极的所述底部下方。所述沟道区域中的至少一些处于所述应变区域内。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 | ||
【主权项】：
一种半导体构造，其包括：第一半导体材料；第二半导体材料，其在所述第一半导体材料上且归因于所述第一及第二半导体材料的不同晶格特性具有接近所述第一半导体材料的应变区域；晶体管栅极，其向下延伸到所述第二半导体材料中；栅极电介质材料，其是沿着所述晶体管栅极的侧壁及底部；源极/漏极区域，其是沿着所述晶体管栅极的所述侧壁，所述栅极电介质材料处于所述源极/漏极区域与所述晶体管栅极之间；且其中沟道区域在所述源极/漏极区域之间延伸且处于所述晶体管栅极的所述底部下方，所述沟道区域中的至少一些在所述应变区域内。
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